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光加热悬浮区熔法制备(Mo085Nb0.15)Si2单相单晶体

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  您的位置:网站首页《中文科技期刊数据库》工程技术材料科学金属材料 摘要

  采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响。结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶体,其尺寸可达庐8mm×90mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论。

  《中国有色金属学报》是中国科学技术协会主管、中国有色金属学会主办、科学出版社出版的以有色金属材料和冶金学科为主的高技术、基础性学术期刊。《中国有色金属学报》以繁荣有色金属科学技术、促进有色金属工业发展为......详细

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